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        當前位置:首頁  >  技術文章

        • 2025

          8-8

          半自動模切機的核心結構中,曲軸傳動與伺服驅動是兩種典型傳動方案,其精度差異源于機械結構與控制邏輯的本質區別。曲軸傳動結構以機械剛性連接為核心,通過曲軸、連桿、滑塊等部件實現運動轉換。其優勢在于結構簡單、成本低廉,適用于低精度、大噸位場景。然而,機械間隙、材料形變及摩擦損耗會顯著影響精度。例如,傳統曲軸模切機在長期運行后,因連桿磨損導致滑塊行程誤差可達±0.1mm,且機械共振易引發振動,進一步降低重復定位精度。此外,曲軸傳動采用開環控制,無法實時修正負載變化引起的...

        • 2025

          8-6

          在材料熱處理的精密舞臺上,雙溫區管式爐用獨立控制的加熱模塊演繹著梯度溫度的藝術。這款突破傳統單區局限的創新設備,通過物理隔離與氣氛調控的組合,為晶體生長、催化劑活化等工藝提供控制精度。設備的創新核心在于分區溫控系統。上下兩個加熱區配備獨立的熱電偶和PID控制器,實現頂部與底部的溫度異步調節;中間過渡段采用導熱系數可控的陶瓷纖維隔板,形成平滑的溫度梯度曲線;石英管外的均溫帶設計消除徑向溫差影響,確保軸向熱流主導傳質過程。某鋰電池正極材料生產商利用該設備進行梯度燒結,通過前驅體分...

        • 2025

          7-17

          磁懸浮感應熔煉爐作為一種先進的材料熔煉設備,在科研、新材料研發以及制造業等領域有著重要應用。以下為其使用方法及注意事項詳解。使用前,需先對設備進行全面檢查。查看磁懸浮系統的各個部件是否連接穩固,有無松動或損壞跡象,確保磁場能夠穩定產生。對于感應熔煉部分,要檢查線圈是否完好,冷卻水路是否暢通且無漏水風險,因為冷卻對于維持設備正常運行和防止過熱損壞至關重要。同時,確認電源接線正確且接地良好,這是保障操作安全的基礎。在物料準備方面,根據實驗或生產需求,精確稱量好所需的金屬或其他可熔...

        • 2025

          7-10

          在現代粉體加工領域,三維擺震球磨機憑借其研磨方式和高效的粉碎性能脫穎而出,那么它是如何工作的呢?球磨機的工作原理基于復雜的運動力學與研磨介質的協同作用。首先,從整體運動形式來看,它打破了傳統球磨機單一方向的旋轉模式,而是實現了在三維空間內的擺動與震動。其內部設有特殊的激振裝置,當設備運行時,激振裝置會產生高頻的振動力,促使整個球磨機筒體在三個相互垂直的方向上進行復合運動。在豎直方向上,筒體做上下往復的擺動,這種運動使得筒體內的研磨介質和物料產生強烈的對流與混合。物料在重力和擺...

        • 2025

          7-9

          一、模切精度偏差故障現象:模切產品邊緣毛刺多、尺寸超差或位置偏移。診斷步驟:刀具檢查:觀察模切刀是否磨損、崩刃或鈍化。若刀具表面有缺口或切削面不平整,需用專用磨刀機修磨(角度建議15°-20°),或直接更換新刀。壓力調節:檢查壓力缸壓力是否均勻。若局部壓力不足,調整液壓系統壓力閥(參考壓力范圍:5-15MPa),確保模切板與材料接觸緊密。材料定位:確認送料輥是否松動或偏移。調整送料輥平行度,并檢查光電傳感器是否被灰塵遮擋,導致定位失效。二、設備運行卡頓或異響故障現象:模切過程...

        • 2025

          7-7

          PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)管式爐借助等離子體活化反應氣體,在低溫下實現薄膜沉積,憑借高成膜質量與廣泛適用性,成為半導體、光伏等領域的關鍵設備。?半導體行業中,在14nm芯片制程中,需制備30-50nm的氮化硅(SiN)隔離層,傳統熱CVD需800℃以上高溫,易導致晶圓摻雜擴散。PECVD管式爐在300-400℃下,通過射頻等離子體(13.56MHz)將氨氣與硅烷分解為活性基團,沉積的SiN薄膜應力可控制在500MPa以內,均勻性(wafer內偏差≤1%)滿足芯片層...

        • 2025

          6-15

          布里奇曼單晶爐是一種用于生長單晶材料的重要設備,其原理基于溫度梯度和熔體的定向凝固結晶來實現晶體的生長。以下是對單晶爐原理的詳細解析:1、溫度區域設置:單晶爐的爐膛通常分為高溫區、梯度區和低溫區。高溫區的溫度高于晶體的熔點,用于將多晶原料充分熔化;低溫區的溫度低于晶體熔點,為晶體生長提供冷卻環境;梯度區則位于高溫區和低溫區之間,其溫度逐漸由高溫區過渡到低溫區,是晶體生長的關鍵區域。2、晶體生長過程:在晶體生長過程中,首先將多晶原料裝入坩堝中,并將坩堝放入具有一維溫度梯度的布里...

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